MTP10N10EL Fiches technique(PDF) - Motorola, Inc

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MTP10N10EL Fiches technique (PDF) - Motorola, Inc

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No de pièce	MTP10N10EL

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Fabricant	MOTOROLA [Motorola, Inc]

Site Internet	http://www.freescale.com

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TMOS POWER FET 10 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.22 OHMS

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Fabricant	MOTOROLA [Motorola, Inc]

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Description	TMOS POWER FET 10 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.22 OHMS

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MTP10N10EL Détails du produit

Logic Level TMOS E-FET™ Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Avalanche Energy Specified

• Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode

• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits

• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

Numéro de pièce similaire - MTP10N10EL

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	MTP10N10EL	107Kb / 8P	Power MOSFET 10 A, 100 V, Logic Level, N?묬hannel TO??20 March, 2005 ??Rev. 4
ON Semiconductor	MTP10N10ELG	107Kb / 8P	Power MOSFET 10 A, 100 V, Logic Level, N?묬hannel TO??20 March, 2005 ??Rev. 4
VBsemi Electronics Co.,...	MTP10N10ELG	937Kb / 7P	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

Description similaire - MTP10N10EL

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Motorola, Inc	MTD6P10E	261Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.66 OHM
	MTD9N10E	257Kb / 10P	TMOS POWER FET 9.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.25 OHM
	MTP10N40E	249Kb / 8P	TMOS POWER FET 10 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 0.55 OHMS
	MTP1N80E	221Kb / 8P	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 12 OHMS
	MTP2N60E	219Kb / 8P	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 3.8 OHMS
	MTP3N50E	251Kb / 8P	TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.0 OHMS
	MTP3N60E	183Kb / 8P	TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 2.2 OHMS
	MTP6N60E	156Kb / 8P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 1.2 OHMS
	MTP7N20E	223Kb / 8P	TMOS POWER FET 7.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.70 OHMS
	MTY100N10E	216Kb / 8P	TMOS POWER FET 100 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.011 OHM

À propos de Motorola, Inc

Motorola, Inc. était une société américaine de télécommunications multinationales fondée en 1928. Elle était basée à Schaumburg, Illinois et était l'un des plus grands fournisseurs de téléphones portables, d'équipement de télécommunication et de semi-conducteurs. Tout au long de son histoire, Motorola était connue pour son innovation dans le domaine des télécommunications, notamment le développement du premier téléphone cellulaire disponible dans le monde, le Dynatac, et le premier pager à double sens au monde, le Pageboy.

En 2011, Motorola s'est divisée en deux sociétés distinctes: Motorola Mobility et Motorola Solutions. Motorola Mobility a ensuite été acquise par Google en 2012 et est maintenant une filiale de Lenovo. Motorola Solutions se concentre sur les solutions de sécurité publique et de communication commerciale et industrielle. La société propose une large gamme de produits, notamment des radios bidirectionnelles, des appareils informatiques mobiles et des équipements d'infrastructure réseau.

Motorola était l'un des pionniers de l'industrie du téléphone portable et a une riche histoire d'innovation et de progrès technologiques. L'héritage de l'entreprise se poursuit par le biais de ses filiales et sa technologie et ses produits continuent d'être utilisés dans le monde.

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