MTD6P10E Fiches technique(PDF) - Motorola, Inc

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MTD6P10E Fiches technique (PDF) - Motorola, Inc

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No de pièce	MTD6P10E

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Fabricant	MOTOROLA [Motorola, Inc]

Site Internet	http://www.freescale.com

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TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.66 OHM

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Fabricant	MOTOROLA [Motorola, Inc]

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Description	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.66 OHM

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MTD6P10E Détails du produit

TMOS E-FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount
P–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

This advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Avalanche Energy Specified
• Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
• Surface Mount Package Available in 16 mm, 13–inch/2500 Unit Tape & Reel, Add –T4 Suffix to Part Number

Numéro de pièce similaire - MTD6P10E

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	MTD6P10E	212Kb / 7P	P?묬hannel DPAK Power MOSFET August, 2006 ??Rev. 5
	MTD6P10EG	212Kb / 7P	P?묬hannel DPAK Power MOSFET August, 2006 ??Rev. 5
	MTD6P10ET4	212Kb / 7P	P?묬hannel DPAK Power MOSFET August, 2006 ??Rev. 5
VBsemi Electronics Co.,...	MTD6P10ET4	1Mb / 9P	P-Channel 100 V (D-S) MOSFET
ON Semiconductor	MTD6P10ET4G	212Kb / 7P	P?묬hannel DPAK Power MOSFET August, 2006 ??Rev. 5

Description similaire - MTD6P10E

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Motorola, Inc	MTD6N10E	211Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.400 OHM
	MTD6N15	231Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 150 VOLTS RDS(on) = 0.3 OHM
	MTD6N20E	269Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.7 OHM
	MTD9N10E	257Kb / 10P	TMOS POWER FET 9.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.25 OHM
	MTP12P10	190Kb / 6P	TMOS POWER FET 12 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.3 OHM
	MTP2P50E	230Kb / 8P	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 6.0 OHM
	MTP6P20E	216Kb / 8P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM
	MTV6N100E	262Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.5 OHM
	MTW6N100E	195Kb / 8P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.5 OHM
	MTY100N10E	216Kb / 8P	TMOS POWER FET 100 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.011 OHM

À propos de Motorola, Inc

Motorola, Inc. était une société américaine de télécommunications multinationales fondée en 1928. Elle était basée à Schaumburg, Illinois et était l'un des plus grands fournisseurs de téléphones portables, d'équipement de télécommunication et de semi-conducteurs. Tout au long de son histoire, Motorola était connue pour son innovation dans le domaine des télécommunications, notamment le développement du premier téléphone cellulaire disponible dans le monde, le Dynatac, et le premier pager à double sens au monde, le Pageboy.

En 2011, Motorola s'est divisée en deux sociétés distinctes: Motorola Mobility et Motorola Solutions. Motorola Mobility a ensuite été acquise par Google en 2012 et est maintenant une filiale de Lenovo. Motorola Solutions se concentre sur les solutions de sécurité publique et de communication commerciale et industrielle. La société propose une large gamme de produits, notamment des radios bidirectionnelles, des appareils informatiques mobiles et des équipements d'infrastructure réseau.

Motorola était l'un des pionniers de l'industrie du téléphone portable et a une riche histoire d'innovation et de progrès technologiques. L'héritage de l'entreprise se poursuit par le biais de ses filiales et sa technologie et ses produits continuent d'être utilisés dans le monde.

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