MTP1N80E Fiches technique(PDF) - Motorola, Inc

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MTP1N80E Fiches technique (PDF) - Motorola, Inc

MTP1N80E Datasheet PDF - Motorola, Inc


No de pièce	MTP1N80E

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Fabricant	MOTOROLA [Motorola, Inc]

Site Internet	http://www.freescale.com

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TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 12 OHMS

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Description	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 12 OHMS

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MTP1N80E Détails du produit

TMOS E-FET Power Field Effect Transistor
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Robust High Voltage Termination
• Avalanche Energy Specified
• Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

Numéro de pièce similaire - MTP1N80E

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Inchange Semiconductor ...	MTP1N80E	301Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

Description similaire - MTP1N80E

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Motorola, Inc	MTD1N80E	269Kb / 10P	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 12 OHM
	MTD5N25E	252Kb / 10P	TMOS POWER FET 5.0 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM
	MTP10N40E	249Kb / 8P	TMOS POWER FET 10 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 0.55 OHMS
	MTP1N60E	232Kb / 8P	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 8.0 OHM
	MTP2N60E	219Kb / 8P	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 3.8 OHMS
	MTP4N80E	159Kb / 8P	TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 3.0 OHM
	MTP5N40E	258Kb / 8P	TMOS POWER FET 5.0 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM
	MTP7N20E	223Kb / 8P	TMOS POWER FET 7.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.70 OHMS
	MTW7N80E	220Kb / 8P	TMOS POWER FET 7.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM
	MTY16N80E	239Kb / 8P	TMOS POWER FET 16 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 0.50 OHM

À propos de Motorola, Inc

Motorola, Inc. était une société américaine de télécommunications multinationales fondée en 1928. Elle était basée à Schaumburg, Illinois et était l'un des plus grands fournisseurs de téléphones portables, d'équipement de télécommunication et de semi-conducteurs. Tout au long de son histoire, Motorola était connue pour son innovation dans le domaine des télécommunications, notamment le développement du premier téléphone cellulaire disponible dans le monde, le Dynatac, et le premier pager à double sens au monde, le Pageboy.

En 2011, Motorola s'est divisée en deux sociétés distinctes: Motorola Mobility et Motorola Solutions. Motorola Mobility a ensuite été acquise par Google en 2012 et est maintenant une filiale de Lenovo. Motorola Solutions se concentre sur les solutions de sécurité publique et de communication commerciale et industrielle. La société propose une large gamme de produits, notamment des radios bidirectionnelles, des appareils informatiques mobiles et des équipements d'infrastructure réseau.

Motorola était l'un des pionniers de l'industrie du téléphone portable et a une riche histoire d'innovation et de progrès technologiques. L'héritage de l'entreprise se poursuit par le biais de ses filiales et sa technologie et ses produits continuent d'être utilisés dans le monde.

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