MTP6N60E Fiches technique(PDF) - Motorola, Inc

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MTP6N60E Fiches technique (PDF) - Motorola, Inc

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No de pièce	MTP6N60E

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Fabricant	MOTOROLA [Motorola, Inc]

Site Internet	http://www.freescale.com

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TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 1.2 OHMS

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MTP6N60E Détails du produit

TMOS E-FET™
Power Field Effect Transistor
N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate

This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Robust High Voltage Termination
• Avalanche Energy Specified
• Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

Numéro de pièce similaire - MTP6N60E

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	MTP6N60E	177Kb / 8P	Power Field Effect Transistor May, 2013 ??Rev. 7
Inchange Semiconductor ...	MTP6N60E	295Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

Description similaire - MTP6N60E

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Motorola, Inc	MTP2N60E	219Kb / 8P	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 3.8 OHMS
	MTP3N60E	183Kb / 8P	TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 2.2 OHMS
	MTB6N60E	192Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS
	MTB6N60E1	160Kb / 8P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS
	MTD6N20E	269Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.7 OHM
	MTD6P10E	261Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.66 OHM
	MTD6N15	231Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 150 VOLTS RDS(on) = 0.3 OHM
	MTP2P50E	230Kb / 8P	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 6.0 OHM
	MTD4N20E	268Kb / 10P	TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 1.2 OHM
	MTD6N10E	211Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.400 OHM

À propos de Motorola, Inc

Motorola, Inc. était une société américaine de télécommunications multinationales fondée en 1928. Elle était basée à Schaumburg, Illinois et était l'un des plus grands fournisseurs de téléphones portables, d'équipement de télécommunication et de semi-conducteurs. Tout au long de son histoire, Motorola était connue pour son innovation dans le domaine des télécommunications, notamment le développement du premier téléphone cellulaire disponible dans le monde, le Dynatac, et le premier pager à double sens au monde, le Pageboy.

En 2011, Motorola s'est divisée en deux sociétés distinctes: Motorola Mobility et Motorola Solutions. Motorola Mobility a ensuite été acquise par Google en 2012 et est maintenant une filiale de Lenovo. Motorola Solutions se concentre sur les solutions de sécurité publique et de communication commerciale et industrielle. La société propose une large gamme de produits, notamment des radios bidirectionnelles, des appareils informatiques mobiles et des équipements d'infrastructure réseau.

Motorola était l'un des pionniers de l'industrie du téléphone portable et a une riche histoire d'innovation et de progrès technologiques. L'héritage de l'entreprise se poursuit par le biais de ses filiales et sa technologie et ses produits continuent d'être utilisés dans le monde.

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