MTP10N40E Fiches technique(PDF) - Motorola, Inc

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MTP10N40E Fiches technique (PDF) - Motorola, Inc

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No de pièce	MTP10N40E

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Fabricant	MOTOROLA [Motorola, Inc]

Site Internet	http://www.freescale.com

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TMOS POWER FET 10 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 0.55 OHMS

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Description	TMOS POWER FET 10 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 0.55 OHMS

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MTP10N40E Détails du produit

N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

This advanced high voltage TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain–to–source diode with fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications such as power supplies, PWM motor controls and other inductive loads, the avalanche energy capability is specified to eliminate the guesswork in designs where inductive loads are switched and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Avalanche Energy Capability Specified at Elevated Temperature

• Low Stored Gate Charge for Efficient Switching

• Internal Source–to–Drain Diode Designed to Replace External Zener Transient Suppressor — Absorbs High Energy in the Avalanche Mode

• Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to Discrete Fast Recovery Diode

Numéro de pièce similaire - MTP10N40E

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	MTP10N40E	234Kb / 8P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate August, 2006 ??Rev. 1
VBsemi Electronics Co.,...	MTP10N40E	1Mb / 8P	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET
Inchange Semiconductor ...	MTP10N40E	393Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

Description similaire - MTP10N40E

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Motorola, Inc	MTD2N40E	268Kb / 10P	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 3.5 OHM
	MTD5P06E	208Kb / 10P	TMOS POWER FET 5.0 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.55 OHM
	MTP10N10EL	221Kb / 8P	TMOS POWER FET 10 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.22 OHMS
	MTP2N40E	217Kb / 8P	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 3.5 OHM
	MTP2N60E	219Kb / 8P	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 3.8 OHMS
	MTP3N60E	183Kb / 8P	TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 2.2 OHMS
	MTP4N40E	239Kb / 8P	TMOS POWER FET 4.0 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 1.8 OHM
	MTP5N40E	258Kb / 8P	TMOS POWER FET 5.0 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM
	MTP7N20E	223Kb / 8P	TMOS POWER FET 7.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.70 OHMS
	MTW8N60E	70Kb / 2P	TMOS POWER FET 8.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 0.55 OHM

À propos de Motorola, Inc

Motorola, Inc. était une société américaine de télécommunications multinationales fondée en 1928. Elle était basée à Schaumburg, Illinois et était l'un des plus grands fournisseurs de téléphones portables, d'équipement de télécommunication et de semi-conducteurs. Tout au long de son histoire, Motorola était connue pour son innovation dans le domaine des télécommunications, notamment le développement du premier téléphone cellulaire disponible dans le monde, le Dynatac, et le premier pager à double sens au monde, le Pageboy.

En 2011, Motorola s'est divisée en deux sociétés distinctes: Motorola Mobility et Motorola Solutions. Motorola Mobility a ensuite été acquise par Google en 2012 et est maintenant une filiale de Lenovo. Motorola Solutions se concentre sur les solutions de sécurité publique et de communication commerciale et industrielle. La société propose une large gamme de produits, notamment des radios bidirectionnelles, des appareils informatiques mobiles et des équipements d'infrastructure réseau.

Motorola était l'un des pionniers de l'industrie du téléphone portable et a une riche histoire d'innovation et de progrès technologiques. L'héritage de l'entreprise se poursuit par le biais de ses filiales et sa technologie et ses produits continuent d'être utilisés dans le monde.

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