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IRG4PH50UD Fiches technique (PDF) - International Rectifier
IRG4PH50UD Datasheet PDF - International Rectifier
No de pièce IRG4PH50UD
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Taille du fichier   229.82 Kbytes
Page   10 Pages
Fabricant  IRF [International Rectifier]
Site Internet  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Description INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)

IRG4PH50UD Datasheet (PDF)

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IRG4PH50UD Datasheet PDF - International Rectifier

No de pièce IRG4PH50UD
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Taille du fichier   229.82 Kbytes
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Fabricant  IRF [International Rectifier]
Site Internet  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Description INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)

IRG4PH50UD Fiches technique (HTML) - International Rectifier


IRG4PH50UD Détails du produit

Features
• UltraFast: Optimized for high operating
   frequencies up to 40 kHz in hard switching,
   >200 kHz in resonant mode
• New IGBT design provides tighter
   parameter distribution and higher efficiency than
   previous generations
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
   ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
   bridge configurations
• Industry standard TO-247AC package

Benefits
• Higher switching frequency capability than
   competitive IGBTs
• Highest efficiency available
• HEXFRED diodes optimized for performance with
   IGBTs . Minimized recovery characteristics require
   less/no snubbing




Numéro de pièce similaire - IRG4PH50UD

FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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375Kb / 3P		 IGBT
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686Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH50UDPBF IRF-IRG4PH50UDPBF Datasheet
687Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH50UDPBF IRF-IRG4PH50UDPBF_15 Datasheet
687Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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IRG4PH40UD IRF-IRG4PH40UD Datasheet
220Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A)
IRG4PH50K IRF-IRG4PH50K Datasheet
92Kb / 6P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A)
IRG4PH50KD IRF-IRG4PH50KD Datasheet
224Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A)
IRG4PH50U IRF-IRG4PH50U Datasheet
134Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)
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À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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