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IRG4PH30KD Fiches technique (PDF) - International Rectifier
IRG4PH30KD Datasheet PDF - International Rectifier
No de pièce IRG4PH30KD
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Taille du fichier   212.54 Kbytes
Page   10 Pages
Fabricant  IRF [International Rectifier]
Site Internet  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Description INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)

IRG4PH30KD Datasheet (PDF)

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IRG4PH30KD Datasheet PDF - International Rectifier

No de pièce IRG4PH30KD
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Fabricant  IRF [International Rectifier]
Site Internet  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Description INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)

IRG4PH30KD Fiches technique (HTML) - International Rectifier


IRG4PH30KD Détails du produit

Features
• High short circuit rating optimized for motor control,
   tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C,
   VGE = 15V
• Combines low conduction losses with high
   switching speed
• Tighter parameter distribution and higher efficiency
   than previous generations
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
   ultrasoft recovery antiparallel diodes

Benefits
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density
   motor controls possible
• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs.
   Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and
   switching losses
• This part replaces IRGPH30MD2 products
• For hints see design tip 97003




Numéro de pièce similaire - IRG4PH30KD

FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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International Rectifier		 IRG4PH30KDPBF IRF-IRG4PH30KDPBF Datasheet
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IRG4PH30KDPBF IRF-IRG4PH30KDPBF Datasheet
477Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH30KDPBF IRF-IRG4PH30KDPBF_15 Datasheet
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217Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.47V, @Vge=15V, Ic=15A)
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220Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A)
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À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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