IRG4PH50K Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRG4PH50K Fiches technique (PDF) - International Rectifier

IRG4PH50K Datasheet PDF - International Rectifier


No de pièce	IRG4PH50K

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Description

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A)

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Description	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A)

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IRG4PH50K Détails du produit

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features

●High short circuit rating optimized for motor control, tsc=10µs, VCC = 720V, TJ= 125°C, VGE= 15V

●Combines low conduction losses with high switching speed

●Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations

Benefits

●As a Freewheeling Diode we recommend our HEXFRED^TMultrafast, ultrasoft recovery diodes for minimum EMI/Noise and switching losses in the Diode and IGBT

●Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

●This part replaces the IRGPH50K and IRGPH50M devices

Numéro de pièce similaire - IRG4PH50K

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRG4PH50KD	224Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A)
	IRG4PH50KDPBF	681Kb / 11P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRG4PH50KDPBF	681Kb / 11P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRG4PH50KDPBF	681Kb / 11P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
	IRG4PH50KPBF	327Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Description similaire - IRG4PH50K

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRG4PH20K	229Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
	IRG4PH30K	161Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
	IRG4PH40K	157Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.74V, @Vge=15V, Ic=15A)
	IRG4PH40U	163Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A)
	IRG4PH50KD	224Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A)
	IRG4PH50S	130Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=1.47V, @Vge=15V, Ic=33A)
	IRG4PH50U	134Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)
	IRG4PH50UD	229Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)
	IRG4PSH71K	146Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)
	IRGPC40M	91Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=24A)

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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