IRGPC40MD2 Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRGPC40MD2 Fiches technique (PDF) - International Rectifier

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=24A)

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Description	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=24A)

IRGPC40MD2 Fiches technique (HTML) - International Rectifier

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IRGPC40MD2 Détails du produit

Description
Co-packaged IGBTs are a natural extension of International Rectifiers well known IGBT line. They provide the convenience of an IGBT and an ultrafast recovery diode in one package, resulting in substantial benefits to a host of high-voltage, high-current, applications.
These new short circuit rated devices are especially suited for motor control and other applications requiring short circuit withstand capability.

Features
• Short circuit rated -10µs @125°C, V GE = 15V
• Switching-loss rating includes all "tail" losses
• HEXFREDTM soft ultrafast diodes
• Optimized for medium operating frequency ( 1 to 10kHz)

Numéro de pièce similaire - IRGPC40MD2

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRGPC40MD2	98Kb / 35P	Fit Rate / Equivalent Device Hours

Description similaire - IRGPC40MD2

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRGBC30FD2	414Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A)
	IRGBC40M-S	88Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=24A)
	IRGPC20MD2	418Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A)
	IRGPC30FD2	422Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=17A)
	IRGPC30MD2	421Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=16A)
	IRGPC40FD2	425Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A)
	IRGPC40M	91Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=24A)
	IRGPC50MD2	434Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=35A)
	IRGPC50UD2	441Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A)
	RGBC40M	82Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=24A)

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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