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SCTW60N120G2 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
SCTW60N120G2 Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce SCTW60N120G2
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Taille du fichier   201.26 Kbytes
Page   12 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mΩ typ., 60 A in an HiP247 package

SCTW60N120G2 Datasheet (PDF)

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SCTW60N120G2 Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce SCTW60N120G2
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mΩ typ., 60 A in an HiP247 package

SCTW60N120G2 Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


SCTW60N120G2 Détails du produit

Features
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

Applications
• Switching mode power supply
• DC-DC converters
• Industrial motor control




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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