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SCTW40N120G2V Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
SCTW40N120G2V Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce SCTW40N120G2V
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Taille du fichier   205.57 Kbytes
Page   12 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mΩ typ., 36 A in an HiP247 package

SCTW40N120G2V Datasheet (PDF)

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SCTW40N120G2V Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce SCTW40N120G2V
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mΩ typ., 36 A in an HiP247 package

SCTW40N120G2V Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


SCTW40N120G2V Détails du produit

Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature. Product status link SCTW40N120G2V Product summary

Applications
■ Switching mode power supply
■ DC-DC converters
■ Industrial motor control




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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