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SCTW100N65G2AG Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
SCTW100N65G2AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce SCTW100N65G2AG
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Taille du fichier   423.74 Kbytes
Page   11 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A,20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package

SCTW100N65G2AG Datasheet (PDF)

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SCTW100N65G2AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce SCTW100N65G2AG
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
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Description Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A,20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package

SCTW100N65G2AG Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


SCTW100N65G2AG Détails du produit

Features

• AEC-Q101 qualified
• Very high operating temperature capability (TJ = 200 °C)
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Low capacitance

Applications

• Traction for inverters
• DC-DC converters
• OBC

Description

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device
features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching
performance.




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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