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SCTWA70N120G2V Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
SCTWA70N120G2V Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce SCTWA70N120G2V
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Taille du fichier   229.28 Kbytes
Page   12 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mΩ typ., 91 A

SCTWA70N120G2V Datasheet (PDF)

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SCTWA70N120G2V Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce SCTWA70N120G2V
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mΩ typ., 91 A

SCTWA70N120G2V Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


SCTWA70N120G2V Détails du produit

Features
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

Applications
• Switching mode power supply
• DC-DC converters
• Industrial motor control

Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device
features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching
performance. The variation of switching loss is almost independent of junction
temperature.




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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