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SCTH60N120G2-7AG Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
SCTH60N120G2-7AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce SCTH60N120G2-7AG
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Taille du fichier   356.41 Kbytes
Page   14 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package

SCTH60N120G2-7AG Datasheet (PDF)

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SCTH60N120G2-7AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
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Description Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package

SCTH60N120G2-7AG Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


SCTH60N120G2-7AG Détails du produit

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Source sensing pin for increased efficiency
Applications
• Main inverter (electric traction)
• DC/DC converter for EV/HEV
• On board charger (OBC)
Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device
features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching
performance. The variation of switching loss is almost independent of junction
temperature.




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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