SCTWA70N120G2V Fiches technique(PDF)

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SCTWA70N120G2V Fiches technique (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

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SiC N-Channel MOSFET

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SCTWA70N120G2V Détails du produit

FEATURES
·Increased System Switching Frequency
·Higher System Efficiency
·Increased Power Density
APPLICATIONS
·Switching mode power supply
·DC-DC converters
·Industrial motor control

Numéro de pièce similaire - SCTWA70N120G2V

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
STMicroelectronics	SCTWA70N120G2V	229Kb / 12P	Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mΩ typ., 91 A 10-Oct-2022
STMicroelectronics	SCTWA70N120G2V-4	218Kb / 12P	Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mΩ typ., 91 A in an HiP247‑4 package 01-Jun-2021

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Inchange Semiconductor ...	ISCF8001	751Kb / 5P	SiC N-Channel MOSFET 2023-8-18
	GA50JT12	375Kb / 3P	SiC N-Channel MOSFET 2023-9-26
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	ISCF8011	874Kb / 8P	SiC N-Channel MOSFET
	C3M0065100J	399Kb / 4P	SiC N-Channel MOSFET
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À propos de Inchange Semiconductor Company Limited

Inchange Semiconductor Company Limited est une société chinoise de semi-conducteurs fondée en 1997.

La société fournit une large gamme de produits, notamment des dispositifs d'énergie discrets et analogiques et des diodes pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Inchange est connu pour son accent sur la qualité et la fiabilité, et ses produits sont largement utilisés dans la gestion de l'alimentation, l'éclairage et d'autres applications.

La société a des opérations dans plusieurs pays et est l'un des principaux fournisseurs de dispositifs d'électricité et de diodes dans la région Asie-Pacifique.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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