UT4812G-S08-R datasheet(4/5 Pages) DOINGTER

Moteur de recherche de fiches techniques de composants électroniques

UT4812G-S08-R Fiches technique(PDF) 4 Page - SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

No de pièce	UT4812G-S08-R

Description	Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

PDF	5 Pages

Scroll/Zoom	100%

Fabricant	DOINGTER [SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]

Site Internet	http://www.doingter.cn/

Logo

4 / 5 page

www.doingter.cn

—

4 —

Qg Gate Charge (nC)

Figure 5 Gate Charge

Vsd Source-Drain Voltage (V)

Figure 6 Source- Drain Diode Forward

Vds Drain-Source Voltage (V)

Figure 7 Capacitance vs Vds

Vds Drain-Source Voltage (V)

Figure 8 Safe Operation Area

TJ-Junction Temperature(℃)

Figure 9 Power Dissipation

TJ-Junction Temperature(℃)

Figure 10 Current De-rating

UT4812G-S08-R

ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ]
À propos de Alldatasheet \| Publicité \| Contactez-nous \| Politique de confidentialité \| Lien vers la fiche technique \| Echange de liens \| Fabricants All Rights Reserved©Alldatasheet.com
Mirror Sites English : Alldatasheet.com \| English : Alldatasheet.net \| Chinese : Alldatasheetcn.com \| German : Alldatasheetde.com \| Japanese : Alldatasheet.jp Russian : Alldatasheetru.com \| Korean : Alldatasheet.co.kr \| Spanish : Alldatasheet.es \| French : Alldatasheet.fr \| Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com \| Polish : Alldatasheet.pl \| Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in \| Mexican : Alldatasheet.com.mx \| British : Alldatasheet.co.uk \| New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com \| icmetro.com

ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ]

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com