STB6N52K3 Fiches technique(PDF)

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STB6N52K3 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics

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Fabricant	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

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Extremely high dv/dt capability

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STB6N52K3 Détails du produit

Description
These devices are made using the SuperMESH3™ Power MOSFET technology that is obtained via improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology combined with a new optimized vertical structure. The resulting product has an extremely low on resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, making it especially suitable for the most demanding applications.

Features
■ 100% avalanche tested
■ Extremely high dv/dt capability
■ Gate charge minimized
■ Very low intrinsic capacitance
■ Improved diode reverse recovery characteristics
■ Zener-protected

Numéro de pièce similaire - STB6N52K3

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
STMicroelectronics	STB6N60M2	1Mb / 21P	Extremely low gate charge 30-May-2016
	STB6N62K3	1Mb / 19P	Very low intrinsic capacitance 21-Dec-2011
	STB6N65M2	898Kb / 23P	Zener-protected 04-Aug-2014
	STB6N80K5	1Mb / 26P	Zener-protected 27-Mar-2015
	STB6NA60	130Kb / 10P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR Oct-1995

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	SSF7N60	439Kb / 6P	Extremely high dv/dt capability
	SSF8N60	440Kb / 6P	Extremely high dv/dt capability
	SSF8N65	439Kb / 6P	Extremely high dv/dt capability
STMicroelectronics	STP35N60DM2	733Kb / 13P	Extremely high dv/dt ruggedness 10-Sep-2015
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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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