STB6N80K5 Fiches technique(PDF)

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STB6N80K5 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics

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STB6N80K5 Détails du produit

Description

These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

• Industry’s lowest RDS(on)

• Industry’s best figure of merit (FoM)

• Ultra low gate charge

• 100% avalanche tested

• Zener-protected

Applications

• Switching applications

Numéro de pièce similaire - STB6N80K5

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	STB6N62K3	1Mb / 19P	Very low intrinsic capacitance 21-Dec-2011
	STB6N65M2	898Kb / 23P	Zener-protected 04-Aug-2014
	STB6NA60	130Kb / 10P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR Oct-1995

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	STW7N90K5	736Kb / 12P	Zener-protected October 2016 Rev 1
	STW20N90K5	695Kb / 12P	Zener-protected December 2016 Rev 2
	STB8N90K5	894Kb / 15P	Zener-protected 28-Nov-2016
	STD12N50M2	754Kb / 16P	Zener-protected 09-Dec-2014
	STF16N65M2	786Kb / 13P	Zener-protected October 2014 Rev 1
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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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