STB6N62K3 Fiches technique(PDF)

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STB6N62K3 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics

STB6N62K3 Datasheet PDF - STMicroelectronics


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Fabricant	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

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Very low intrinsic capacitance

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Description	Very low intrinsic capacitance

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STB6N62K3 Détails du produit

Description
These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low onresistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications.

Features
■ 100% avalanche tested
■ Extremely high dv/dt capability
■ Gate charge minimized
■ Very low intrinsic capacitance
■ Improved diode reverse recovery characteristics
■ Zener-protected

Applications
■ Switching applications

Numéro de pièce similaire - STB6N62K3

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

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