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STB33N60M2 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STB33N60M2 Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STB33N60M2
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Taille du fichier   1059.38 Kbytes
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-channel 600 V, 0.108 Ω typ., 26 A MDmesh II Plus™ low Qg Power MOSFETs in a D2PAK package

STB33N60M2 Datasheet (PDF)

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STB33N60M2 Datasheet PDF - STMicroelectronics

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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
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Description N-channel 600 V, 0.108 Ω typ., 26 A MDmesh II Plus™ low Qg Power MOSFETs in a D2PAK package

STB33N60M2 Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STB33N60M2 Détails du produit

Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters. 1 3 TAB D PAK 2 AM15572v1 , TAB

Features
■ Extremely low gate charge
■ Lower RDS(on) x area vs previous generation
■ MDmesh™ II technology
■ Low gate input resistance
■ 100% avalanche tested
■ Zener-protected

Applications
■ Switching applications
■ LCC converters, resonant converters




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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