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STL9N60M2 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STL9N60M2 Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STL9N60M2
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Taille du fichier   1049.37 Kbytes
Page   16 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-channel 600 V, 0.76 Ω typ., 4.8 A MDmesh II Plus™ low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 HV package

STL9N60M2 Datasheet (PDF)

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STL9N60M2 Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STL9N60M2
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-channel 600 V, 0.76 Ω typ., 4.8 A MDmesh II Plus™ low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 HV package

STL9N60M2 Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STL9N60M2 Détails du produit

Description
This device is an N-channel Power MOSFET
developed using a new generation of MDmesh™
technology: MDmesh II Plus™ low Qg. This
revolutionary Power MOSFET associates a
vertical structure to the company's strip layout to
yield one of the world's lowest on-resistance and
gate charge. It is therefore suitable for the most
demanding high efficiency converters.

Features
• Extremely low gate charge
• Lower RDS(on) x area vs previous generation
• Low gate input resistance
• 100% avalanche tested
• Zener-protected

Applications
• Switching applications




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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