STB10N60M2 Fiches technique(PDF) - STMicroelectronics

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STB10N60M2 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics

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Fabricant	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

Site Internet	http://www.st.com

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N-channel 600 V, 0.550 typ., 7.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D짼PAK

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Fabricant	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

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STB10N60M2 Détails du produit

Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using a new generation of MDmesh™ technology: MDmesh II Plus™ low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

Features
• Extremely low gate charge
• Lower RDS(on) x area vs previous generation
• Low gate input resistance
• 100% avalanche tested
• Zener-protected

Applications
• Switching applications

Numéro de pièce similaire - STB10N60M2

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
STMicroelectronics	STB10N65K3	1Mb / 21P	N-channel 650 V, 0.75 廓 typ., 10 A SuperMESH3??Power MOSFETs in D2PAK, TO-220FP, I2PAKFP and TO-220 packages August 2013 Rev 4

Description similaire - STB10N60M2

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
STMicroelectronics	STB33N60M2	1Mb / 15P	N-channel 600 V, 0.108 廓 typ., 26 A MDmesh II Plus??low Qg Power MOSFETs in a D2PAK package November 2013 Rev 2
	STB24N60M2	1Mb / 22P	N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in D2PAK
	STF28N60M2	827Kb / 15P	N-channel 600 V, 0.135 typ., 22 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAKFP packages
	STF9N60M2	884Kb / 15P	N-channel 600 V, 0.72 ??typ., 5.5 A MDmesh II Plus??low Qg Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packages March 2014 Rev 2
	STD11N60M2-EP	807Kb / 16P	N-channel 600 V, 0.550 (ohm) typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
	STFI40N60M2	1Mb / 21P	N-channel 600 V, 0.078 typ., 34 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages
	STL9N60M2	1Mb / 16P	N-channel 600 V, 0.76 ??typ., 4.8 A MDmesh II Plus??low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT??5x6 HV package March 2014 Rev 2
	STL24N60M2	1Mb / 16P	N-channel 600 V, 0.186 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package February 2014 Rev 2
	STF40N60M2	1Mb / 22P	N-channel 600 V, 0.078 typ., 34 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages
	STP13N60M2	1Mb / 18P	N-channel 600 V, 0.35 廓 typ., 11 A MDmesh II Plus??low Qg Power MOSFETs in TO-220, IPAK and TO-247 packages February 2014 Rev 5

À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

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