STY112N65M5 Fiches technique(PDF) - STMicroelectronics

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STY112N65M5 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics

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Fabricant	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

Site Internet	http://www.st.com

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N-channel 650 V, 0.019 廓, 96 A, MDmesh??V Power MOSFET in Max247 package

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Fabricant	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

Site Internet	http://www.st.com

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Description	N-channel 650 V, 0.019 廓, 96 A, MDmesh??V Power MOSFET in Max247 package

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STY112N65M5 Détails du produit

Description
This device is an N-channel MDmesh™ V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

Features
■ Higher VDSS rating
■ Higher dv/dt capability
■ Excellent switching performance
■ Easy to drive
■ 100% avalanche tested

Applications
■ Switching applications

Numéro de pièce similaire - STY112N65M5

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
STMicroelectronics	STY100NM60N	815Kb / 13P	Low input capacitance and gate charge November 2012 Rev 2
	STY100NS20FD	260Kb / 8P	N-CHANNEL 200V - 0.022ohm - 100A Max247 MESH OVERLAY??Power MOSFET
	STY100NS20FD	232Kb / 12P	N-channel 200V - 0.022廓 - 100A - Max247 MESH OVERLAY??Power MOSFET
	STY100NS20FD	232Kb / 12P	N-channel 200V - 0.022廓 - 100A - Max247 MESH OVERLAY??Power MOSFET
	STY105NM50N	907Kb / 13P	N-channel 500 V, 0.019 廓 typ., 110 A, MDmesh??II Power MOSFET in a Max247 package July 2013 Rev 3

Description similaire - STY112N65M5

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
STMicroelectronics	STY139N65M5	971Kb / 13P	N-channel 650 V, 0.014 廓 typ., 130 A, MDmesh??V Power MOSFET in Max247 package
	STY105NM50N	907Kb / 13P	N-channel 500 V, 0.019 廓 typ., 110 A, MDmesh??II Power MOSFET in a Max247 package July 2013 Rev 3
	STY145N65M5	788Kb / 13P	N-channel 650 V, 0.012 廓 typ., 138 A, MDmesh??V Power MOSFET in Max247 package
	STB8N65M5	1Mb / 25P	N-channel 650 V, 0.56 廓, 7 A MDmesh??V Power MOSFET
	STW57N65M5-4	1Mb / 14P	N-channel 650 V, 0.056 廓 typ., 42 A, MDmesh??V Power MOSFET in a TO247-4 package
	STL42N65M5	686Kb / 14P	N-channel 650 V, 0.070 廓, 34 A MDmesh??V Power MOSFET in PowerFLAT??8x8 HV package April 2012 Rev 2
	STB16N65M5	1Mb / 19P	N-channel 650 V, 0.230 廓, 12 A MDmesh??V Power MOSFET in D짼PAK, DPAK
	STL57N65M5	1Mb / 16P	N-channel 650 V, 0.061 廓 typ., 22.5 A MDmesh??V Power MOSFET in a PowerFLAT??8x8 HV package
	STFI20NM65N	783Kb / 12P	N-channel 650 V, 15 A, 0.250 廓 typ., MDmesh??II Power MOSFET in a I짼PAKFP package December 2013 Rev 1
	STY80NM60N	130Kb / 9P	N-channel 600 V - 0.035 廓 - 80 A - Max247 second generation MDmesh??Power MOSFET

À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

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