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STD3N65M6 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STD3N65M6 Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STD3N65M6
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Taille du fichier   630.19 Kbytes
Page   18 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-channel 650 V, 1.4 Ω typ., 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD3N65M6 Datasheet (PDF)

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STD3N65M6 Datasheet PDF - STMicroelectronics

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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-channel 650 V, 1.4 Ω typ., 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package

STD3N65M6 Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STD3N65M6 Détails du produit

Features
• Reduced switching losses
• Lower RDS(on) per area vs previous generation
• Low gate input resistance
• 100% avalanche tested
• Zener-protected

Applications
• Switching applications

Description
The new MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the
well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics
builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6
technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the
most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for
maximum end-application efficiency.




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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