IXFK38N80Q2 Fiches technique(PDF) - IXYS Corporation

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IXFK38N80Q2 Fiches technique (PDF) - IXYS Corporation

IXFK38N80Q2 Datasheet PDF - IXYS Corporation


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Fabricant	IXYS [IXYS Corporation]

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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R

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Fabricant	IXYS [IXYS Corporation]

Site Internet	http://www.ixys.com

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Description	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R

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IXFK38N80Q2 Détails du produit

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Low intrinsic Rg , low trr

Features

• Double metal process for low gate resistance

• International standard packages

• Epoxy meet UL 94 V-0, flammability classification

• Avalanche energy and current rated

• Fast intrinsic Rectifier

• miniBLOCK package version with Aluminum Nitrate isolation

Numéro de pièce similaire - IXFK38N80Q2

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	IXFK38N80Q2	141Kb / 5P	HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class

Description similaire - IXFK38N80Q2

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	IXFH14N100Q2	564Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg Low Rg, High dv/dt, Low trr
	IXFH52N30Q	70Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacitances
	IXFR12N100Q	33Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances
	IXFN38N100Q2	565Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr
	IXFN100N25	78Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low
Infineon Technologies A...	SPP08P06P	843Kb / 10P	P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated Rev 1.5 2009-04-14
IXYS Corporation	IXTH28N50Q	177Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXTQ24N55Q	517Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXFH36N55Q	171Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXFH80N08	93Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt

À propos de IXYS Corporation

Ixys Corporation est une entreprise technologique spécialisée dans la conception, la fabrication et la vente de semi-conducteurs de puissance et de circuits intégrés (CI). La société a été fondée en 1983 et a son siège à Milpitas, en Californie. Ixys a une présence mondiale, avec des opérations et des clients dans plus de 60 pays à travers le monde.

IXYS fournit une large gamme de produits et de solutions, notamment des MOSFET de puissance, des transistors bipolaires de puissance, des thyristors, des diodes et des CI pour les applications de gestion et de contrôle de l'alimentation. Les produits de l'entreprise sont utilisés dans une variété d'applications, notamment les énergies renouvelables, l'industrie, l'automobile et l'électronique grand public.

Ixys est connu pour son expertise dans la technologie de semi-conducteurs de puissance et sa capacité à fournir des solutions hautes performances et rentables à ses clients. L'entreprise s'engage dans l'innovation et la recherche et le développement et participe activement à l'élaboration de nouvelles technologies et solutions pour le marché des semi-conducteurs de puissance. IXYS est un leader reconnu sur le marché des semi-conducteurs de puissance et continue de fournir des produits et services de haute qualité à ses clients.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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