IXFN100N25 Fiches technique(PDF) - IXYS Corporation

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IXFN100N25 Fiches technique (PDF) - IXYS Corporation

IXFN100N25 Datasheet PDF - IXYS Corporation


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Fabricant	IXYS [IXYS Corporation]

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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low

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Fabricant	IXYS [IXYS Corporation]

Site Internet	http://www.ixys.com

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Description	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low

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IXFN100N25 Détails du produit

HiPerFET Power MOSFETs
Single MOSFET Die

N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr

Features
• International standard package
• miniBLOC, with Aluminium nitride isolation
• Low RDS (on) HDMOSTM process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Low package inductance
• Fast intrinsic Rectifier

Applications
• DC-DC converters
• Battery chargers
• Switched-mode and resonant-mode power supplies
• DC choppers
• Temperature and lighting controls

Advantages
• Easy to mount
• Space savings
• High power density

Numéro de pièce similaire - IXFN100N25

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	IXFN100N20	112Kb / 4P	HiPerFET Power MOSFETs
Inchange Semiconductor ...	IXFN100N20	536Kb / 3P	N-Channel MOSFET

Description similaire - IXFN100N25

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Siemens Semiconductor G...	BUZ100S	126Kb / 8P	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated)
	BUZ102S	123Kb / 8P	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated)
	BUZ110S	122Kb / 8P	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated)
	BUZ111S	121Kb / 8P	SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated)
IXYS Corporation	IXFK38N80Q2	605Kb / 5P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R
Infineon Technologies A...	SPP08P06P	843Kb / 10P	P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated Rev 1.5 2009-04-14
IXYS Corporation	IXTH28N50Q	177Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXTQ24N55Q	517Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXFH36N55Q	171Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXFH80N08	93Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt

À propos de IXYS Corporation

Ixys Corporation est une entreprise technologique spécialisée dans la conception, la fabrication et la vente de semi-conducteurs de puissance et de circuits intégrés (CI). La société a été fondée en 1983 et a son siège à Milpitas, en Californie. Ixys a une présence mondiale, avec des opérations et des clients dans plus de 60 pays à travers le monde.

IXYS fournit une large gamme de produits et de solutions, notamment des MOSFET de puissance, des transistors bipolaires de puissance, des thyristors, des diodes et des CI pour les applications de gestion et de contrôle de l'alimentation. Les produits de l'entreprise sont utilisés dans une variété d'applications, notamment les énergies renouvelables, l'industrie, l'automobile et l'électronique grand public.

Ixys est connu pour son expertise dans la technologie de semi-conducteurs de puissance et sa capacité à fournir des solutions hautes performances et rentables à ses clients. L'entreprise s'engage dans l'innovation et la recherche et le développement et participe activement à l'élaboration de nouvelles technologies et solutions pour le marché des semi-conducteurs de puissance. IXYS est un leader reconnu sur le marché des semi-conducteurs de puissance et continue de fournir des produits et services de haute qualité à ses clients.

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