IXFH52N30Q Fiches technique(PDF) - IXYS Corporation

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IXFH52N30Q Fiches technique (PDF) - IXYS Corporation

IXFH52N30Q Datasheet PDF - IXYS Corporation


No de pièce	IXFH52N30Q

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Fabricant	IXYS [IXYS Corporation]

Site Internet	http://www.ixys.com

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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacitances

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No de pièce	IXFH52N30Q

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Fabricant	IXYS [IXYS Corporation]

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Description	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacitances

IXFH52N30Q Fiches technique (HTML) - IXYS Corporation

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IXFH52N30Q Détails du produit

N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
Low Gate Charge and Capacitances

Features
• Low gate charge
• International standard packages
• EpoxymeetUL94V-0, flammability classification
• Low RDS (on) HDMOS™ process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Avalanche energy and current rated
• Fast intrinsic Rectifier

Advantages
• Easy to mount
• Space savings
• High power density

Numéro de pièce similaire - IXFH52N30Q

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Inchange Semiconductor ...	IXFH52N30Q	372Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

Description similaire - IXFH52N30Q

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	IXFH14N100Q2	564Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg Low Rg, High dv/dt, Low trr
	IXFK38N80Q2	605Kb / 5P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R
	IXFR12N100Q	33Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances
	IXFN38N100Q2	565Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr
	IXFN100N25	78Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low
Infineon Technologies A...	SPP08P06P	843Kb / 10P	P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated Rev 1.5 2009-04-14
IXYS Corporation	IXTH28N50Q	177Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXTQ24N55Q	517Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXFH36N55Q	171Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXFH80N08	93Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt

À propos de IXYS Corporation

Ixys Corporation est une entreprise technologique spécialisée dans la conception, la fabrication et la vente de semi-conducteurs de puissance et de circuits intégrés (CI). La société a été fondée en 1983 et a son siège à Milpitas, en Californie. Ixys a une présence mondiale, avec des opérations et des clients dans plus de 60 pays à travers le monde.

IXYS fournit une large gamme de produits et de solutions, notamment des MOSFET de puissance, des transistors bipolaires de puissance, des thyristors, des diodes et des CI pour les applications de gestion et de contrôle de l'alimentation. Les produits de l'entreprise sont utilisés dans une variété d'applications, notamment les énergies renouvelables, l'industrie, l'automobile et l'électronique grand public.

Ixys est connu pour son expertise dans la technologie de semi-conducteurs de puissance et sa capacité à fournir des solutions hautes performances et rentables à ses clients. L'entreprise s'engage dans l'innovation et la recherche et le développement et participe activement à l'élaboration de nouvelles technologies et solutions pour le marché des semi-conducteurs de puissance. IXYS est un leader reconnu sur le marché des semi-conducteurs de puissance et continue de fournir des produits et services de haute qualité à ses clients.

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