IRFP450 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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Fabricant

IRFP450 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "IRFP450" - Totale : 37 ( 1/2 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
STMicroelectronics	IRFP450	90Kb/8P	N - CHANNEL 500V - 0.33ohm - 14A - TO-247 PowerMESH] MOSFET Aug-1998
Samsung semiconductor	IRFP450	212Kb/5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Vishay Siliconix	IRFP450	1Mb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
Vishay Siliconix	IRFP450	883Kb/11P	Power MOSFET 31-Jan-2022
Intersil Corporation	IRFP450	55Kb/7P	14A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
International Rectifier	IRFP450	169Kb/6P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.40ohm, Id=14A)
IXYS Corporation	IRFP450	46Kb/2P	Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
New Jersey Semi-Conduct...	IRFP450	841Kb/3P	N - CHANNEL 500V - 0.33Q - 14A - TO-247 PowerMESH??MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRFP450	67Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRFP450	410Kb/7P	N-CHANNEL PowerMESH MOSFET
SYC Electronica	IRFP450	137Kb/6P	14A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET
List of Unclassifed Man...	IRFP450	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Vishay Siliconix	IRFP450A	315Kb/9P	Power MOSFET 16-Jun-08
Vishay Siliconix	IRFP450A	354Kb/11P	Power MOSFET 31-Jan-2022
International Rectifier	IRFP450A	101Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.40ohm, Id=14A)
Inchange Semiconductor ...	IRFP450A	67Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Vishay Siliconix	IRFP450APBF	354Kb/11P	Power MOSFET 31-Jan-2022
International Rectifier	IRFP450APBF	194Kb/8P	HEXFET짰Power MOSFET
Vishay Siliconix	IRFP450A	315Kb/9P	Power MOSFET 16-Jun-08
Vishay Siliconix	IRFP450A	354Kb/11P	Power MOSFET 31-Jan-2022

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Brève description de IRFP450

L'IRFP450 est un MOSFET canal N conçu pour les applications de commutation de puissance haute tension et haute vitesse, telles que les alimentations et convertisseurs à découpage. Fabriqué par International Rectifier, qui fait désormais partie d'Infineon Technologies, ce MOSFET est connu pour son rendement et sa fiabilité élevés.

Caractéristiques clés :
Type : MOSFET à canal N.
Tension drain-source (Vds) : 500 V.
Courant de vidange continu (Id) : 14 A.
Dissipation de puissance : 190 W.
Rds(on) : 0,4 ohms.
Applications courantes :
Alimentations à découpage (SMPS) : utilisées pour une conversion de puissance efficace.
Onduleurs haute puissance : adaptés aux applications nécessitant des capacités de gestion de haute tension et de courant.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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