IRFP450 Fiches technique(PDF) - IXYS Corporation

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IRFP450 Fiches technique (PDF) - IXYS Corporation

IRFP450 Datasheet PDF - IXYS Corporation


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Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode

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Description	Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode

IRFP450 Fiches technique (HTML) - IXYS Corporation

IRFP450 Datasheet HTML 1Page - IXYS Corporation

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IRFP450 Détails du produit

N-Channel Enhancement Mode

Features
• International standard packages
• Low RDS (on) HDMOSTM process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Low package inductance (< 5 nH)
- easy to drive and to protect
• Fast switching times

Applications
• Switch-mode and resonant-mode power supplies
• Motor controls
• Uninterruptible Power Supplies (UPS)
• DC choppers

Advantages
• Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
• Space savings
• High power density

Numéro de pièce similaire - IRFP450

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
STMicroelectronics	IRFP450	90Kb / 8P	N - CHANNEL 500V - 0.33ohm - 14A - TO-247 PowerMESH] MOSFET Aug-1998
Samsung semiconductor	IRFP450	212Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Intersil Corporation	IRFP450	55Kb / 7P	14A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
International Rectifier	IRFP450	169Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.40ohm, Id=14A)
Vishay Siliconix	IRFP450	1Mb / 8P	Power MOSFET 16-Jun-08

Description similaire - IRFP450

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	IRFP254	46Kb / 2P	Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
	IRFP260	36Kb / 2P	Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
	IRFP264	47Kb / 2P	Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
GTM CORPORATION	G2N7002K	368Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G111K	366Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G138	324Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G301K	296Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G2304A	371Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G2308E	330Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GE20N03	296Kb / 5P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

À propos de IXYS Corporation

Ixys Corporation est une entreprise technologique spécialisée dans la conception, la fabrication et la vente de semi-conducteurs de puissance et de circuits intégrés (CI). La société a été fondée en 1983 et a son siège à Milpitas, en Californie. Ixys a une présence mondiale, avec des opérations et des clients dans plus de 60 pays à travers le monde.

IXYS fournit une large gamme de produits et de solutions, notamment des MOSFET de puissance, des transistors bipolaires de puissance, des thyristors, des diodes et des CI pour les applications de gestion et de contrôle de l'alimentation. Les produits de l'entreprise sont utilisés dans une variété d'applications, notamment les énergies renouvelables, l'industrie, l'automobile et l'électronique grand public.

Ixys est connu pour son expertise dans la technologie de semi-conducteurs de puissance et sa capacité à fournir des solutions hautes performances et rentables à ses clients. L'entreprise s'engage dans l'innovation et la recherche et le développement et participe activement à l'élaboration de nouvelles technologies et solutions pour le marché des semi-conducteurs de puissance. IXYS est un leader reconnu sur le marché des semi-conducteurs de puissance et continue de fournir des produits et services de haute qualité à ses clients.

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