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IRF9530 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "IRF9530" - Totale : 56 ( 1/3 Page)
FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
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Samsung semiconductor
IRF9530 SAMSUNG-IRF9530 Datasheet
508Kb/12P
P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF9530 SAMSUNG-IRF9530 Datasheet
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P-CHANNEL POWER MOSFETS
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Power MOSFET
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IRF9530 VISHAY-IRF9530 Datasheet
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IRF9530 INTERSIL-IRF9530 Datasheet
63Kb/7P
12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
July 1999
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International Rectifier
IRF9530 IRF-IRF9530 Datasheet
449Kb/6P
TRANSISTORS
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IRF9530 ISC-IRF9530 Datasheet
303Kb/2P
isc P-Channel Mosfet Transistor
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SYC Electronica
IRF9530 SYC-IRF9530 Datasheet
155Kb/6P
12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
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Guangdong Kexin Industr...
IRF9530 KEXIN-IRF9530 Datasheet
1Mb/3P
P-Channel MOSFET
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IRF9530 ETC2-IRF9530 Datasheet
2Mb/31P
SEMICONDUCTORS
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Seme LAB
IRF9530-220M SEME-LAB-IRF9530-220M Datasheet
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P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS
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IRF9530N IRF-IRF9530N Datasheet
113Kb/8P
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)
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Kersemi Electronic Co.,...
IRF9530N KERSEMI-IRF9530N Datasheet
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IRF9530N ISC-IRF9530N Datasheet
335Kb/2P
P-Channel MOSFET Transistor
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IRF9530NL IRF-IRF9530NL Datasheet
173Kb/10P
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)
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IRF9530NL KERSEMI-IRF9530NL Datasheet
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IRF9530NL ISC-IRF9530NL Datasheet
273Kb/2P
isc P-Channel MOSFET Transistor
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IRF9530NLPBF IRF-IRF9530NLPBF Datasheet
758Kb/10P
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IRF9530NLPBF IRF-IRF9530NLPBF Datasheet
767Kb/11P
Advanced Process Technology
IRF9530NPBF IRF-IRF9530NPBF Datasheet
123Kb/9P
HEXFET짰 Power MOSFET

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Brève description de IRF9530


L'IRF9530 est un MOSFET du canal P, qui est un type de transistor utilisé pour amplifier ou changer de signaux électroniques. Contrairement à ses homologues à canal N, le courant de source MOSFETS du canal P lorsque la tension appliquée à la porte est inférieure à la tension source (tension de source de porte négative pour les périphériques de mode d'amélioration). Ils sont couramment utilisés dans les applications où la commutation de charge est contrôlée par le côté sol ou négatif du circuit.

Les caractéristiques clés de l'IRF9530 comprennent:

VDSS (tension de panne de drain-source): Il s'agit de la tension maximale qui peut être appliquée de drain à la source avec la porte court-circuitée à la source, qui pour l'IRF9530 est généralement autour de -100V.

ID (courant de drain continu): L'IRF9530 peut gérer une quantité importante de courant continu, souvent évalué à environ -12A, ce qui le rend adapté à des applications à courant élevé.

RDS (ON) (Drain-Source On-Resistance): la résistance à l'état entre le drain et la source lorsque le MOSFET est activé; Pour l'IRF9530, cela est relativement faible, ce qui contribue à réduire les pertes de puissance.

VGS (TH) (tension de seuil de porte): La tension à laquelle le MOSFET commence à s'allumer, qui pour les dispositifs de canal P comme l'IRF9530, est une tension négative, généralement autour de -2V à -4V.

Dissie de puissance: la quantité maximale de puissance que l'IRF9530 peut dissiper est importante pour comprendre les limitations thermiques, et elle est généralement d'environ 48 W.

Package: il est disponible en 220 et des packages similaires couramment utilisés pour les dispositifs d'alimentation.

Température de fonctionnement: la plage de température de fonctionnement est un facteur de stabilité et de fiabilité, et pour l'IRF9530, elle est généralement comprise entre -55 ° C et + 150 ° C.

Les MOSFET du canal P comme l'IRF9530 sont utiles pour créer des circuits d'entraînement plus simples, en particulier dans les configurations de commutation à haut côté, car elles ne nécessitent pas de pompe de charge ou d'autres circuits d'entraînement complexes pour appliquer une tension de source de porte positive. Ils sont communs dans les circuits de gestion de l'alimentation, les commandes de moteurs et d'autres applications de commutation de puissance.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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