IRF9530N Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRF9530N Fiches technique (PDF) - International Rectifier

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No de pièce	IRF9530N

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Description	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)

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IRF9530N Détails du produit

VDSS = -100V

RDS(on) = 0.20Ω

ID = -14A

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Advanced Process Technology

Dynamic dv/dt Rating

175°C Operating Temperature

Fast Switching

P-Channel

Fully Avalanche Rated

Numéro de pièce similaire - IRF9530N

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Kersemi Electronic Co.,...	IRF9530N	2Mb / 7P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF9530N	335Kb / 2P	P-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF9530NL	173Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF9530NL	1Mb / 10P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF9530NL	273Kb / 2P	isc P-Channel MOSFET Transistor

Description similaire - IRF9530N

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRC503	226Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A)
	IRF520NS	185Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)
	IRF530	175Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A)
	IRF530S	180Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A)
	IRF9530NS	173Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A)
	IRFD014	171Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=1.7A)
	IRFI520N	133Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=7.6A)
	IRFL4310	313Kb / 9P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=1.6A)
	IRFP360LC	343Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=23A)
	IRLZ14SL	291Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=10A)

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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