IRF640N Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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Fabricant

IRF640N Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "IRF640N" - Totale : 34 ( 1/2 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRF640N	155Kb/11P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)
Fairchild Semiconductor	IRF640N	160Kb/11P	N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm
International Rectifier	IRF640N	240Kb/11P	HEXFET Power MOSFET
International Rectifier	IRF640N	248Kb/12P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF640N	201Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor
Inchange Semiconductor ...	IRF640N	338Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF640NL	155Kb/11P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A)
Fairchild Semiconductor	IRF640NL	160Kb/11P	N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm
International Rectifier	IRF640NL	240Kb/11P	HEXFET Power MOSFET
International Rectifier	IRF640NL	248Kb/12P	Advanced Process Technology
Kersemi Electronic Co.,...	IRF640NL	1Mb/11P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF640NL	288Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF640NLPBF	300Kb/12P	HEXFET짰 Power MOSFET
International Rectifier	IRF640NLPBF	341Kb/11P	Advanced Process Technology
Kersemi Electronic Co.,...	IRF640NLPBF	8Mb/11P	Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175 Operating Temperature
International Rectifier	IRF640NLPBF	341Kb/11P	Advanced Process Technology
	IRF640NPBF	300Kb/12P	HEXFET짰 Power MOSFET
	IRF640NPBF	341Kb/11P	Advanced Process Technology
Kersemi Electronic Co.,...	IRF640NPBF	8Mb/11P	Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175 Operating Temperature
International Rectifier	IRF640NPBF	341Kb/11P	Advanced Process Technology

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Brève description de IRF640N

L'IRF640N est un MOSFET de puissance canal N (transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) conçu pour une commutation rapide et une gestion efficace de la puissance dans une large gamme de circuits électroniques. Fabriqué par International Rectifier (désormais filiale d'Infineon Technologies), l'IRF640N est largement utilisé dans des applications telles que les alimentations, les variateurs de moteur, les convertisseurs CC-CC et les onduleurs.

Ce MOSFET est capable de gérer des tensions et des courants élevés, avec une tension drain-source (V_DS) de 200 V, un courant de drain continu (I_D) pouvant atteindre 18 A et une faible résistance à l'état passant (R_DS(on)) d'environ 0,18 ohm, ce qui le rend idéal pour les applications de moyenne à forte puissance. Il se caractérise également par une vitesse de commutation rapide et une faible charge de grille, permettant un fonctionnement efficace à haute fréquence.

L'IRF640N est généralement conditionné au format TO-220, ce qui lui confère de bonnes performances thermiques et facilite la dissipation thermique lors du montage sur circuit imprimé. Il est souvent utilisé dans les circuits nécessitant un contrôle de puissance et une commutation efficaces, notamment dans les environnements à haute tension et à courant modéré.

En résumé, l'IRF640N est un MOSFET de puissance durable et fiable, offrant d'excellentes performances pour les tâches de commutation et d'amplification, tant en électronique industrielle que grand public.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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