IRF630 Fiches technique, PDF - Datasheet Search Engine

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Fabricant

IRF630 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "IRF630" - Totale : 102 ( 1/6 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NXP Semiconductors	IRF630	97Kb/9P	N-channel TrenchMOS transistor August 1999 Rev 1.100
STMicroelectronics	IRF630	104Kb/9P	N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET Feb-1999
Vishay Siliconix	IRF630	159Kb/8P	Power MOSFET 02-Aug-2021
	IRF630	283Kb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRF630	579Kb/8P	Power MOSFET 21-Mar-11
STMicroelectronics	IRF630	190Kb/6P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STMicroelectronics	IRF630	336Kb/14P	N-channel 200V - 0.35Ω - 9A TO-220/TO-220FP Mesh overlay??II Power MOSFET 03-Aug-2006
TRANSYS Electronics Lim...	IRF630	141Kb/1P	Power MOSFET
International Rectifier	IRF630	176Kb/6P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A)
Suntac Electronic Corp.	IRF630	137Kb/6P	POWER MOSFET
Advanced Power Electron...	IRF630	94Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Dc Components	IRF630	206Kb/2P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF630	128Kb/1P	N-channel mosfet transistor
Comset Semiconductor	IRF630	106Kb/3P	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
Kersemi Electronic Co.,...	IRF630	5Mb/8P	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
Nell Semiconductor Co.,...	IRF630	620Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRF630	854Kb/2P	FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR
	IRF630	106Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 12 A, 150-200 V
	IRF630	106Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 12 A, 150-200 V
Intersil Corporation	IRF630	62Kb/7P	9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs June 1999

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Brève description de IRF630

L'IRF630 est un MOSFET de puissance canal N conçu pour les applications de commutation et d'amplification moyenne tension, notamment les alimentations, les drivers de moteurs, les convertisseurs CC-CC et les amplificateurs audio. Fabriqué par International Rectifier (qui fait désormais partie d'Infineon Technologies) et d'autres fournisseurs, l'IRF630 est apprécié pour sa fiabilité, sa vitesse de commutation correcte et ses performances polyvalentes, tant en électronique industrielle que grand public.

Ce MOSFET est conçu pour une tension drain-source (V_DS) de 200 V et peut supporter des courants de drain continus jusqu'à 9 A, sous réserve d'une dissipation thermique suffisante. Sa résistance à l'état passant (R_DS(on)) typique est d'environ 0,4 ohm, ce qui contribue à réduire les pertes de puissance et l'échauffement dans les applications de commutation. Avec des temps de commutation rapides et une charge de grille relativement faible, l'IRF630 convient aux circuits à moyenne vitesse nécessitant un contrôle de puissance efficace.

Présenté dans le boîtier TO-220, l'IRF630 offre de solides performances thermiques et se monte facilement sur des dissipateurs thermiques, ce qui le rend idéal pour les conceptions nécessitant une dissipation de puissance modérée. Bien qu'il ne s'agisse pas d'un MOSFET de niveau logique, il fonctionne bien dans les circuits disposant d'une tension de commande de grille plus élevée (généralement autour de 10 V).

En résumé, l'IRF630 est un MOSFET canal N polyvalent et largement utilisé, offrant une solution fiable et économique pour les tâches de commutation moyenne tension et courant moyen dans diverses applications électroniques.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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