IRF630 Fiches technique(PDF)

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IRF630 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

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IRF630 Détails du produit

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

■ TYPICAL RDS(on) = 0.25 Ω
■ AVALANCE RUGGED TECHNOLOGY
■ 100% AVALANCHE TESTED
■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100 °C
■ APPLICATION ORIENTED CHARACHTERIZATION

APPLICATIONS
■ HIGH SPEED SWITCHING
■ UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)
■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
■ iNDUSTRIAL ACTUATORS
■ DC-DC & DC-AC COVERTERS FOR TELECOM,
INDUSTRIAL AND CONSUMER ENVIRONMENT.
■ PARTICULARLY SUITABLE FOR ELECTRONIC
FLUORESCENT LAMP BALLASTS

Numéro de pièce similaire - IRF630

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NXP Semiconductors	IRF630	97Kb / 9P	N-channel TrenchMOS transistor August 1999 Rev 1.100
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Intersil Corporation	IRF630	62Kb / 7P	9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs June 1999
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	STP15N05L	201Kb / 10P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR Nov-1996
	STP32N05L	201Kb / 10P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR Nov-1996
	STP32N06L	201Kb / 10P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR Nov-1996
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	STP3N50XI	289Kb / 7P	N-CHANNEL enhancement mode power mos transistor

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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

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