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STGP30H60DF Fiches technique(PDF) 10 Page - STMicroelectronics |
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10 / 24 page ![]() Electrical characteristics STGB30H60DF, STGF30H60DF, STGP30H60DF, STGW30H60DF 10/24 DocID022363 Rev 3 Figure 20. Diode VF vs. forward current Figure 21. Switching losses vs. gate resistance Figure 22. Switching losses vs. collector current Figure 23. Switching losses vs temperature Figure 24. Short circuit time & current vs. VGE VF 1.8 1.6 1.4 1.2 15 20 IF(A) 30 (V) 25 2.0 2.2 35 2.4 2.6 TJ=-40°C TJ=25°C TJ=175°C 40 45 50 55 AM17368v1 E 1000 750 500 0 RG( Ω) 20 (µJ) 10 VCC= 400V, VGE=15V 250 Eon Eoff 40 30 IC= 30A, TJ=175°C 1250 1500 AM17374v1 E 1200 800 400 15 IC(A) 35 (µJ) 25 VCC= 400V, VGE=15V 0 Eon Eoff 55 45 RG= 10 Ω, TJ=175°C 1600 2000 AM17375v1 E 600 500 400 25 TJ(°C) 75 (µJ) 50 VCC= 400V, VGE=15V 300 Eon Eoff 125 100 RG= 10 Ω, IC=30A 700 800 150 AM17376v1 tsc 15 10 5 8 VGE(V) 12 (µs) 10 VCC= 360V, RG= 10 Ω 0 tSC ISC 14 20 ISC(A) 150 100 50 0 200 300 250 350 400 450 AM17377v1 |
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