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IPW60R165CP Fiches technique(PDF) 6 Page - Infineon Technologies AG

No de pièce IPW60R165CP
Description  CoolMOS짰 Power Transistor Features Lowest figure-of-merit RONxQg Ultra low gate charge
PDF  11 Pages
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Fabricant  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Site Internet  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG

IPW60R165CP Fiches technique(HTML) 6 Page - Infineon Technologies AG

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background image
IPW60R165CP
9 Typ. gate charge
10 Forward characteristics of reverse diode
V GS=f(Q gate); I D=12 A pulsed
I F=f(V SD)
parameter: V DD
parameter: T j
11 Avalanche energy
12 Drain-source breakdown voltage
E AS=f(T j); I D=7.9 A; V DD=50 V
V BR(DSS)=f(T j); I D=0.25 mA
25 °C
150 °C
25 °C, 98%
150 °C, 98%
10
2
10
1
10
0
10
-1
0
0.5
1
1.5
2
V SD [V]
120 V
400 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
010
20
30
40
Q gate [nC]
540
580
620
660
700
-60
-20
20
60
100
140
180
T j [°C]
0
100
200
300
400
500
600
20
60
100
140
180
T j [°C]
Rev. 2.2
page 6
2008-02-18
Please note the new package dimensions arccording to PCN 2009-134-A



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