| Moteur de recherche de fiches techniques de composants électroniques |
|
AP4N10AI Fiches technique(PDF) 4 Page - A POWER MICROELECTRONICS |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AP4N10AI Fiches technique(HTML) 4 Page - A POWER MICROELECTRONICS |
|
4 / 7 page ![]() AP4N10AI 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET AP4N10AI REV1.0 永源微電子科技有限公司 Figure 7. Capacitance Characteristics Figure 8. Gate Charge Characteristics Figure 9. Power Dissipation Figure10. Safe Operating Area Figure 11. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance |
|
|
Lien URL |
| ALLDATASHEET vous a-t-il été utile ? [ DONATE ] |
À propos de Alldatasheet | Publicité | Contactez-nous | Politique de confidentialité | Lien vers la fiche technique | Echange de liens | Fabricants All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |