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KMM5324004CSW Fiches technique(PDF) 19 Page - Samsung semiconductor

No de pièce KMM5324004CSW
Description  4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V
PDF  21 Pages
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Fabricant  SAMSUNG [Samsung semiconductor]
Site Internet  http://www.samsung.com/Products/Semiconductor
Logo SAMSUNG - Samsung semiconductor

KMM5324004CSW Fiches technique(HTML) 19 Page - Samsung semiconductor

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background image
DRAM MODULE
KMM5324004CSW/CSWG
CAS-BEFORE-RAS REFRESH COUNTER TEST CYCLE
RAS
VIH -
VIL -
CAS
VIH -
VIL -
A
VIH -
VIL -
COLUMN
ADDRESS
tRAS
tRSH
tCHR
tRAL
tCSR
tCPT
tRP
tCAS
tASC
tCAH
READ CYCLE
VOH -
VOL -
DATA-OUT
DQ
tREZ
tCLZ
WRITE CYCLE
VIH -
VIL -
DATA-IN
DQ
tDH
tDS
W
VIH -
VIL -
tWP
tCWD
tCWL
tRWL
READ-MODIFY-WRITE
tAWD
VIH -
VIL -
OE
tOEA
tAA
tCAC
tDS
tDH
VALID
DATA-OUT
VI/OH -
VI/OL -
DQ
Don
′t care
Undefined
VIH -
VIL -
OE
tOEA
tOEZ
OE
VIH -
VIL -
tRCS
tCLZ
tOEZ
tOED
tWRP
tWRH
tRRH
tRCH
tRCS
tCAC
tAA
VIH -
VIL -
W
tWRP
tWRH
tWCS
tWCH
tCWL
VIH -
VIL -
W
tWP
tRWL
tWRP
tWRH
VALID
DATA-IN
NOTE : This timing diagram is applied to all devices besides 64M DRAM based modules.
tCEZ
tWEZ



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