HM2553 datasheet(8/12 Pages) HMSEMI

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休眠模式

当

IN1、IN2 都为低，维持 1ms 以上，器件将进入休眠模式，从而大大降低器件空闲的功耗。进入休眠模式

后，器件的

H 桥被禁止，电荷泵电路停止工作。在 VM 上电时候，如果 IN1、IN2 都为低，芯片是立马进去休眠

模式。当

IN1 或 IN2 翻转为高电平且至少维持 5us，经过延迟约 50us，芯片恢复到正常的操作状。

保护电路

HM2553 有过流保护，短路保护，过温保护和欠压保护。

过流保护

(OCP)

在每一个

FET 上有一个模拟电流限制电路，此电路限制流过 FET 的电流，从而限制门驱动。如果此过流

模拟电流维持时间超过

OCP 脉冲时间，H 桥内所有 FET 被禁止。经过一个 OCP 尝试时间（tOCP），驱动器会

被重新使能。如果这个错误条件仍然存在，上述这个现象重复出现。如果此错误条件消失了，驱动恢复正常工

作。

H 桥上臂和下臂上的过流条件是被独立检测的。对地短路，对 VM 短路，和输出之间短路，都会造成过流

关闭。注意，过流保护不使用

PWM 电流控制的电流检测电路，所以过流保护功能不作用与 ISEN 电阻。

过温保护

(TSD)

如果结温超过安全限制阈值，

H 桥的 FET 被禁止。一旦结温降到一个安全水平，所有操作会自动恢复正常。

欠压锁定保护

(UVLO)

在任何时候，如果

VM 管脚上的电压降到低于欠压锁定阈值，内部所有电路会被禁止，内部所有复位。当

VM 上的电压上升到 UVLO 以上，所有功能自动恢复。

HM2553

HM2553 Fiches technique(PDF) 8 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd