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No de pièce	MTY14N100

Description	TMOS POWER FET 14 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 0.80 OHM

Taille du fichier	232.76 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6 7 8

Fabricant	MOTOROLA [Motorola, Inc]

Site Internet	http://www.freescale.com

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Numéro de pièce similaire - MTY14N100

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	MTY14N100E	214Kb / 7P	Power Field Effect August, 2006 ??Rev. 1

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Motorola, Inc	MTD5P06E	208Kb / 10P	TMOS POWER FET 5.0 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.55 OHM
	MTD5P06V	245Kb / 10P	TMOS POWER FET 5 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.450 OHM
	MTP1N100E	203Kb / 8P	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 9.0 OHM
	MTP3N100E	206Kb / 8P	TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 4.0 OHM
	MTV10N100E	269Kb / 10P	TMOS POWER FET 10 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.3 OHM
	MTV6N100E	262Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.5 OHM
	MTW10N100E	192Kb / 8P	TMOS POWER FET 10 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.3 OHM
	MTW14N50E	205Kb / 8P	TMOS POWER FET 14 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.40 OHM
	MTW6N100E	195Kb / 8P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.5 OHM
	MTY10N100E	228Kb / 8P	TMOS POWER FET 10 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.3 OHM