MTP1N100E Fiches technique(PDF) - Motorola, Inc

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MTP1N100E Fiches technique (PDF) - Motorola, Inc

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No de pièce	MTP1N100E

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Fabricant	MOTOROLA [Motorola, Inc]

Site Internet	http://www.freescale.com

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TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 9.0 OHM

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Description	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 9.0 OHM

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MTP1N100E Détails du produit

TMOS E-FET Power Field Effect Transistor
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Robust High Voltage Termination
• Avalanche Energy Specified
• Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

Numéro de pièce similaire - MTP1N100E

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
ON Semiconductor	MTP1N100E	216Kb / 7P	Power Field Effect Transistor August, 2006 ??Rev. 3
Inchange Semiconductor ...	MTP1N100E	396Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor

Description similaire - MTP1N100E

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Motorola, Inc	MTD1N80E	269Kb / 10P	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 12 OHM
	MTD5N25E	252Kb / 10P	TMOS POWER FET 5.0 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM
	MTD9N10E	257Kb / 10P	TMOS POWER FET 9.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.25 OHM
	MTP1N50E	159Kb / 8P	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 5.0 OHM
	MTP1N60E	232Kb / 8P	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 8.0 OHM
	MTP5N40E	258Kb / 8P	TMOS POWER FET 5.0 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM
	MTP6P20E	216Kb / 8P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM
	MTP9N25E	206Kb / 8P	TMOS POWER FET 9.0 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 0.45 OHM
	MTV10N100E	269Kb / 10P	TMOS POWER FET 10 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 1.3 OHM
	MTW7N80E	220Kb / 8P	TMOS POWER FET 7.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM

À propos de Motorola, Inc

Motorola, Inc. était une société américaine de télécommunications multinationales fondée en 1928. Elle était basée à Schaumburg, Illinois et était l'un des plus grands fournisseurs de téléphones portables, d'équipement de télécommunication et de semi-conducteurs. Tout au long de son histoire, Motorola était connue pour son innovation dans le domaine des télécommunications, notamment le développement du premier téléphone cellulaire disponible dans le monde, le Dynatac, et le premier pager à double sens au monde, le Pageboy.

En 2011, Motorola s'est divisée en deux sociétés distinctes: Motorola Mobility et Motorola Solutions. Motorola Mobility a ensuite été acquise par Google en 2012 et est maintenant une filiale de Lenovo. Motorola Solutions se concentre sur les solutions de sécurité publique et de communication commerciale et industrielle. La société propose une large gamme de produits, notamment des radios bidirectionnelles, des appareils informatiques mobiles et des équipements d'infrastructure réseau.

Motorola était l'un des pionniers de l'industrie du téléphone portable et a une riche histoire d'innovation et de progrès technologiques. L'héritage de l'entreprise se poursuit par le biais de ses filiales et sa technologie et ses produits continuent d'être utilisés dans le monde.

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