L412 Fiches technique(PDF) - IXYS Corporation

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L412 Fiches technique (PDF) - IXYS Corporation

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High Voltage BIMOSFET

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L412 Détails du produit

High Voltage BIMOSFET™ in High Voltage ISOPLUS i4-PAC™

Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features
• High Voltage BIMOSFETTM
    - substitute for high voltage MOSFETs with significantly lower voltage drop
    - fast switching for high frequency operation
    - reverse conduction capability
• ISOPLUS i4-PACTM high voltage package
    - isolated back surface
    - enlarged creepage towards heatsink
    - enlarged creepage between high voltage pins
    - application friendly pinout
    - high reliability
    - industry standard outline

Applications
• switched mode power supplies
• DC-DC converters
• resonant converters
• lamp ballasts
• laser generators, x ray generators

Numéro de pièce similaire - L412

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Connor-Winfield Corpora...	L412-155.52	119Kb / 2P	5.0x7.0mm Surface Mount LVDS Clock Oscillator Series
Unisonic Technologies	L4120	159Kb / 4P	40V/1.2A INTEGRATED POWER LED DRIVER
	L4120	167Kb / 4P	40V/1.2A INTEGRATED POWER LED DRIVER
	L4120G-AB5-R	167Kb / 4P	LED open-circuit protection
	L4120G-AB5-R	167Kb / 4P	40V/1.2A INTEGRATED POWER LED DRIVER

Description similaire - L412

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	IXBH9N140G	63Kb / 4P	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH16N170A	51Kb / 2P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH20N140	61Kb / 4P	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH15N140	63Kb / 4P	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBF40N140	99Kb / 4P	High Voltage BIMOSFET
	IXBH10N170	596Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBF12N300	207Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	MMIX4B22N300	238Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBT20N360HV	286Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBT32N300HV	309Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

À propos de IXYS Corporation

Ixys Corporation est une entreprise technologique spécialisée dans la conception, la fabrication et la vente de semi-conducteurs de puissance et de circuits intégrés (CI). La société a été fondée en 1983 et a son siège à Milpitas, en Californie. Ixys a une présence mondiale, avec des opérations et des clients dans plus de 60 pays à travers le monde.

IXYS fournit une large gamme de produits et de solutions, notamment des MOSFET de puissance, des transistors bipolaires de puissance, des thyristors, des diodes et des CI pour les applications de gestion et de contrôle de l'alimentation. Les produits de l'entreprise sont utilisés dans une variété d'applications, notamment les énergies renouvelables, l'industrie, l'automobile et l'électronique grand public.

Ixys est connu pour son expertise dans la technologie de semi-conducteurs de puissance et sa capacité à fournir des solutions hautes performances et rentables à ses clients. L'entreprise s'engage dans l'innovation et la recherche et le développement et participe activement à l'élaboration de nouvelles technologies et solutions pour le marché des semi-conducteurs de puissance. IXYS est un leader reconnu sur le marché des semi-conducteurs de puissance et continue de fournir des produits et services de haute qualité à ses clients.

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