IXBH9N140G Fiches technique(PDF) - IXYS Corporation

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IXBH9N140G Fiches technique (PDF) - IXYS Corporation

IXBH9N140G Datasheet PDF - IXYS Corporation


No de pièce	IXBH9N140G

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Fabricant	IXYS [IXYS Corporation]

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High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

IXBH9N140G Datasheet (PDF)

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IXBH9N140G Détails du produit

High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

N-Channel, Enhancement Mode MOSFET compatible

Features
• High Voltage BIMOSFETTM
   - replaces high voltage Darlingtons and series connected MOSFETs
   - lower effective RDS(on)
• MOS Gate turn-on
   - drive simplicity
   - MOSFET compatible for 10V turn on gate voltage
• Monolithic construction
   - high blocking voltage capability
   - very fast turn-off characteristics
• International standard package JEDEC TO-247 AD
• Reverse conducting capability

Applications
• Flyback converters
• DC choppers
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Switched-mode and resonant-mode power supplies
• CRT deflection
• Lamp ballasts

Advantages
• Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
• Space savings
• High power density

Numéro de pièce similaire - IXBH9N140G

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	IXBH10N170	596Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH10N300HV	267Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH12N300	183Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH12N300	183Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH14N300HV	365Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

Description similaire - IXBH9N140G

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	IXBH16N170A	51Kb / 2P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH20N140	61Kb / 4P	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH15N140	63Kb / 4P	High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBN75N170A	91Kb / 2P	BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH42N170A	119Kb / 2P	BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH10N170	596Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBF12N300	207Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	MMIX4B22N300	238Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBT20N360HV	286Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBT32N300HV	309Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

À propos de IXYS Corporation

Ixys Corporation est une entreprise technologique spécialisée dans la conception, la fabrication et la vente de semi-conducteurs de puissance et de circuits intégrés (CI). La société a été fondée en 1983 et a son siège à Milpitas, en Californie. Ixys a une présence mondiale, avec des opérations et des clients dans plus de 60 pays à travers le monde.

IXYS fournit une large gamme de produits et de solutions, notamment des MOSFET de puissance, des transistors bipolaires de puissance, des thyristors, des diodes et des CI pour les applications de gestion et de contrôle de l'alimentation. Les produits de l'entreprise sont utilisés dans une variété d'applications, notamment les énergies renouvelables, l'industrie, l'automobile et l'électronique grand public.

Ixys est connu pour son expertise dans la technologie de semi-conducteurs de puissance et sa capacité à fournir des solutions hautes performances et rentables à ses clients. L'entreprise s'engage dans l'innovation et la recherche et le développement et participe activement à l'élaboration de nouvelles technologies et solutions pour le marché des semi-conducteurs de puissance. IXYS est un leader reconnu sur le marché des semi-conducteurs de puissance et continue de fournir des produits et services de haute qualité à ses clients.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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