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STGD6M65DF2 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STGD6M65DF2 Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STGD6M65DF2
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Taille du fichier   915.35 Kbytes
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

STGD6M65DF2 Datasheet (PDF)

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STGD6M65DF2 Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STGD6M65DF2
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
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Description Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

STGD6M65DF2 Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STGD6M65DF2 Détails du produit

Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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