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STGD6NC60H-1 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STGD6NC60H-1 Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STGD6NC60H-1
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-channel 600 V, 7 A - IPAK Very fast PowerMESH™ IGBT

STGD6NC60H-1 Datasheet (PDF)

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STGD6NC60H-1 Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STGD6NC60H-1
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
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Description N-channel 600 V, 7 A - IPAK Very fast PowerMESH™ IGBT

STGD6NC60H-1 Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STGD6NC60H-1 Détails du produit

Description
Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix H identifies a family optimized for high frequency application in order to achieve very high switching performances (reduced tfall) maintaining a low voltage drop.

Features
■ Low on voltage drop (Vcesat)
■ Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
■ High frequency operation

Applications
■ High frequency inverters
■ SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies
■ Motor drivers 3 2 1 TAB IPAK C (2 or TAB) G (1) E (3) Type VCES VCE(sat) max@25°C IC @100°C STGD6NC60H 600V <2.5V 7A




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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