2SD2161 Fiches technique(PDF)

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2SD2161 Fiches technique (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

2SD2161 Datasheet PDF - Inchange Semiconductor Company Limited


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Fabricant	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

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isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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2SD2161 Détails du produit

DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 100V(Min)
• High DC Current Gain-
: hFE= 2000(Min)@ (VCE= 2V, IC= 2A)
• Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.5V(Max)@ (IC= 2A, IB= 2mA)

APPLICATIONS
• Designed for low-frequency power amplifiers and low-speed switching applications.

Numéro de pièce similaire - 2SD2161

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NEC	2SD2161	130Kb / 6P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
Renesas Technology Corp	2SD2161	281Kb / 8P	SILICON POWER TRANSISTOR 2002

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À propos de Inchange Semiconductor Company Limited

Inchange Semiconductor Company Limited est une société chinoise de semi-conducteurs fondée en 1997.

La société fournit une large gamme de produits, notamment des dispositifs d'énergie discrets et analogiques et des diodes pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Inchange est connu pour son accent sur la qualité et la fiabilité, et ses produits sont largement utilisés dans la gestion de l'alimentation, l'éclairage et d'autres applications.

La société a des opérations dans plusieurs pays et est l'un des principaux fournisseurs de dispositifs d'électricité et de diodes dans la région Asie-Pacifique.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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