PTF080601 Fiches technique(PDF) - Infineon Technologies AG

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PTF080601 Fiches technique (PDF) - Infineon Technologies AG

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No de pièce	PTF080601

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Fabricant	INFINEON [Infineon Technologies AG]

Site Internet	http://www.infineon.com

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LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860-960 MHz

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Fabricant	INFINEON [Infineon Technologies AG]

Site Internet	http://www.infineon.com

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Description	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 60 W, 860-960 MHz

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PTF080601 Détails du produit

Description
The PTF080601 is a 60–W, internally matched GOLDMOS FET intended for EDGE and CDMA applications in the 860 to 960 MHz band. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.

Features
• Broadband internal matching
• Typical EDGE performance
- Average output power = 30W
- Gain = 18 dB
- Efficiency = 40%
• Typical CW performance
- Output power at P–1dB = 90W
- Gain = 17dB
- Efficiency = 60%
• Integrated ESD protection: Human Body Model, Class 1 (minimum)
• Excellent thermal stability
• Low HCI drift
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28V, 60 W (CW) output power

Numéro de pièce similaire - PTF080601

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Infineon Technologies A...	PTF080101	64Kb / 4P	LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ 2004-03-08
	PTF080101M	258Kb / 8P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 450 ??960 MHz Rev. 02.1, 2009-02-18
	PTF080101S	64Kb / 4P	LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ 2004-03-08
	PTF080101S	172Kb / 9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10 W, 860 - 960 MHz 2004-10-05
	PTF080451	158Kb / 9P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 869-960 MHz 2004-06-24

Description similaire - PTF080601

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Ericsson	PTF10138	106Kb / 6P	60 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
Ericsson	PTF10139	115Kb / 6P	60 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
Infineon Technologies A...	PTF080451	158Kb / 9P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 869-960 MHz 2004-06-24
Infineon Technologies A...	PTF080901	205Kb / 10P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz 2004-04-05
Tyco Electronics	MAPLST0810-045CF	136Kb / 4P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 45W, 26V
	MAPLST0810-090CF	138Kb / 4P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 90W, 26V
	MAPLST0810-030CF-05-2004	137Kb / 4P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 30W, 26V
	MAPLST0810-045CF	136Kb / 4P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 45W, 26V
	MAPLST0810-090CF-05-2004	138Kb / 4P	RF Power Field Effect Transistor LDMOS, 865 - 960 MHz, 90W, 26V
Infineon Technologies A...	PTF080101M	258Kb / 8P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 450 ??960 MHz Rev. 02.1, 2009-02-18

À propos de Infineon Technologies AG

Infineon Technologies est l'un des principaux fabricants mondiaux de semi-conducteurs qui se spécialisent dans la fourniture de solutions de gestion, de sécurité et de contrôle de l'énergie pour une variété d'industries telles que les systèmes automobiles, industriels et de communication.
La société a été fondée en 1999 et a son siège à Neubiberg, en Allemagne.
Infineon propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des semi-conducteurs de puissance, des capteurs et d'autres circuits intégrés.
La société a une forte présence sur le marché mondial, avec des opérations et des installations dans divers pays du monde.

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