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PTF080101S Fiches technique (PDF) - Infineon Technologies AG
PTF080101S Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
No de pièce PTF080101S
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Taille du fichier   172.75 Kbytes
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Fabricant  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Site Internet  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
Description Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10 W, 860 - 960 MHz

PTF080101S Datasheet (PDF)

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PTF080101S Datasheet PDF - Infineon Technologies AG

No de pièce PTF080101S
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Fabricant  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Site Internet  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
Description Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10 W, 860 - 960 MHz

PTF080101S Fiches technique (HTML) - Infineon Technologies AG


PTF080101S Détails du produit

Description
The PTF080101 is a 10 W, internally matched GOLDMOS FET intended for EDGE applications in the 860 to 960 MHz band. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.

Features
• Broadband internal matching
• Typical EDGE performance
  - Average output power = 4.0 W
  - Gain = 19 dB
  - Efficiency = 31%
• Typical CW performance
  - Output power at P–1dB = 13 W
  - Gain = 18 dB
- Efficiency = 55%
• Integrated ESD protection: Human Body Model, Class 1 (minimum)
• Excellent thermal stability
• Low HCI drift
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 10 W (CW) output power




Numéro de pièce similaire - PTF080101S

FabricantNo de pièceFiches techniqueDescription
logo
Infineon Technologies A...		 PTF080101S INFINEON-PTF080101S Datasheet
64Kb / 4P		 LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ
2004-03-08
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PTFA091503EL INFINEON-PTFA091503EL_16 Datasheet
766Kb / 11P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 920 ??960 MHz
Rev. 04, 2016-06-16
PTRA094808NF INFINEON-PTRA094808NF Datasheet
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Rev. 03, 2017-08-21
PTVA092407NF INFINEON-PTVA092407NF Datasheet
434Kb / 9P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 240 W, 48 V, 869 ??960 MHz
Rev. 02.4, 2017-02-07
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Cree, Inc		 PTFB091507FH CREE-PTFB091507FH Datasheet
618Kb / 13P		 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 160 W, 28 V, 920 ??960 MHz
PTRA093818NF CREE-PTRA093818NF Datasheet
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PTVA092407NF CREE-PTVA092407NF Datasheet
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À propos de Infineon Technologies AG

Infineon Technologies est l'un des principaux fabricants mondiaux de semi-conducteurs qui se spécialisent dans la fourniture de solutions de gestion, de sécurité et de contrôle de l'énergie pour une variété d'industries telles que les systèmes automobiles, industriels et de communication.
La société a été fondée en 1999 et a son siège à Neubiberg, en Allemagne.
Infineon propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des semi-conducteurs de puissance, des capteurs et d'autres circuits intégrés.
La société a une forte présence sur le marché mondial, avec des opérations et des installations dans divers pays du monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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