MM118-12 Fiches technique(PDF) - Microsemi Corporation

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MM118-12 Fiches technique (PDF) - Microsemi Corporation

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No de pièce	MM118-12

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Fabricant	MICROSEMI [Microsemi Corporation]

Site Internet	http://www.microsemi.com

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3 PHASE N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IGBT BRIDGE

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MM118-12 Détails du produit

Features
● Available in Low Conduction Loss Class as MM118-xxL or Fast Switching Class as MM118-xxF
● Compact and rugged construction offering weight and space savings
● Available with PC board solderable pins (see mechanical outline below) or threaded terminals (add “T”suffix to part number, see option below)
● HPM (Hermetic Power Module)
● Isolation voltage capability (in reference to the base) in excess of 3kV · Very low thermal resistance
● Thermally matched construction provides excellent temperature and power cycling capability
● Additional voltage ratings or terminations available upon request

Numéro de pièce similaire - MM118-12

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Mitsumi Electronics, Co...	MM1180	104Kb / 5P	Low-Noise, Low-Satulation Three-Pin Regulator
	MM1181	104Kb / 5P	Low-Noise, Low-Satulation Three-Pin Regulator
	MM1186	103Kb / 4P	Video Amplifier Monolithic IC
	MM1188	117Kb / 5P	3-Input 1-Output Video Switch (with Y-C mix)
	MM1188	119Kb / 5P	3-Input 1-Output Video Switch (with Y-C mix) Monolithic IC

Description similaire - MM118-12

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Toshiba Semiconductor	GT30J324	166Kb / 7P	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT40T301	311Kb / 6P	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT20J101	259Kb / 6P	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT8G132	338Kb / 6P	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT15M321	269Kb / 6P	TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT
	GT60M322	191Kb / 6P	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT60M323	193Kb / 6P	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT40T302	173Kb / 6P	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT60M303	426Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT
	GT60N321	173Kb / 6P	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

À propos de Microsemi Corporation

Microsemi Corporation était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de solutions de semi-conducteurs et de systèmes.
La société a été fondée en 1960 et a eu son siège à Aliso Viejo, en Californie.
Microsemi a fourni une large gamme de produits, notamment des circuits intégrés analogiques et de signaux mixtes, des réseaux de portes programmables sur le terrain (FPGA), des produits de gestion et de contrôle de l'alimentation et d'autres solutions de semi-conducteurs.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que la défense et la sécurité, l'aérospatiale et l'aviation, l'industrie et les communications.
Microsemi était connu pour son expertise dans la technologie des semi-conducteurs et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2018, Microsemi a été acquis par Microchip Technology, un principal fournisseur de produits de microcontrôleur, de signal mixte, analogique et de sécurité.
La marque Microsemi n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille de Microchip.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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