IRFP044PBF. Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRFP044PBF. Fiches technique (PDF) - International Rectifier

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No de pièce	IRFP044PBF.

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Description	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A)

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IRFP044PBF. Détails du produit

Description
Third Generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude the use of TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the earlier TO-218 package because its isolated mounting hole. It also provides greater creepage distances between pins to meet the requirements of most safety specifications.

● Dynamic dV/dt Rating
● Isolated Central Mounting Hole
● 175 °C Operating Temperature
● Fast Switching
● Ease of Paralleling
● Simple Drive Requirements

Numéro de pièce similaire - IRFP044PBF.

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRFP044PBF	1Mb / 8P	HEXFET Power MOSFET
Vishay Siliconix	IRFP044PBF	1Mb / 8P	Power MOSFET 16-Jun-08

Description similaire - IRFP044PBF.

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRCZ44	132Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=50A)
	IRF3710	94Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=23mohm, Id=57A)
	IRF3710S	184Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
	IRFP3710	185Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025W, Id=57A)
	IRFZ44R	153Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=50*A)
	IRFZ44VZ	298Kb / 12P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A)
	IRLZ44	169Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=50*A)
	IRLZ44S	282Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=50*A)
	IRF3710SPBF	279Kb / 11P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23m廓 , ID = 57A )
	IRFZ44VZPBF	355Kb / 13P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12m廓 , ID = 57A )

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

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